EE电子工程与微电子学专题：半导体器件与集成电路制造工艺分析——以薄膜工艺、光刻技术等为例

作者：南星教育 来源：院校库 标签：大学排名

EE电子工程与微电子学专题：半导体器件与集成电路制造工艺分析——以薄膜工艺、光刻技术等为例

开始日期: 2025-08-02

课时安排: 6周在线小组科研+5周论文指导

Prerequisites适合人群

适合年级 (Grade): 大学生及以上

适合专业 (Major): 电子工程、芯片技术、集成电路，微电子科学、半导体材料等专业或者希望修读相关专业的学生；学生最好具备《半导体物理》、《半导体器件》基础，至少要学完高中的数理化知识

Instructor Introduction导师介绍

H老师

中国科学院正教授&研究员

中国科学院

韩老师 研究员&正教授 博士生导师

中国科学院大学 硅器件与集成技术研发中心 总设计师

香港科技大学 访问学者

国家自然基金面上项目 评审专家

研究方向：集成电力技术

发表学术论文百余篇，出版专著译著多本。是IEEE会员，北京电力电子学会理事。负责或参与了多项重要国家科技项目研究，包括国家重大专项、973、863、国家自然基金等。长期从事集成电路技术的研究，是特种集成电路研究的学科带头人，研究成果处于国内领先水平。

Program Background项目背景

集成电路是支撑现代经济社会发展的战略性、基础性和先导性产业，是引领新一轮科技革命和产业变革的关键力量，是全球各国在高科技竞争中的战略制高点。随着 5G、人工智能、智慧交通等消费电子、智能驾驶、ChatGPT 等应用领域先进技术的发展，下游应用场景对于集成电路芯片性能提出更高的要求，推动芯片制程升级。

Program Description项目介绍

本项目将讲述半导体制造技术的基本原理、途径与集成方法。使学生了解半导体器件与集成电路的制作方法，理解主要单项工艺技术的基本科学原理，掌握硅基互补金属-氧化物-半导体（CMOS）集成电路（IC）的工艺集成流程。

Syllabus项目大纲

引论：半导体技术发展过程、晶圆制造5个阶段、半导体材料基础知识、晶圆制备、清洗工艺；

薄膜制造：氧化工艺（热氧化生长动力学、杂质再分布、氧化物的分析表征）、物理气相淀积（PVD）（蒸发、溅射技术）、化学气相淀积（CVD）（CVD气体动力学、淀积速率影响因素、CVD系统分类、常见薄膜的CVD）；

掺杂技术：扩散工艺（扩散工艺、杂质扩散机制与扩散效应，扩散方程、杂质分布及分析表征）、离子注入（离子注入系统、主要参数）、退火（快速热处理）；

图形化技术：光刻（工艺概述、工艺流程、光源、曝光系统、光刻胶，影响分辨率的关键因素）、刻蚀（湿法，干法）；

集成技术：CMOS集成技术、高级CMOS集成技术；

项目答辩与点评：学术仿真报告汇报、导师点评与指导。

Program Outcome项目收获

6周【在线小组科研+全球就业力大师课】+5周论文指导，共126课时

1500字左右的项目报告

优秀学员获得主导师推荐信（8封网推）

项目结业证书

EI/CPCI/Scopus/ProQuest/Crossref/EBSCO或同等级别索引国际会议全文投递与发表指导或者CNKI检索的英文普刊全文投递与发表指导

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